參數(shù)資料
型號： MBRB30H90CT-HE3/81
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 15 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 144K
代理商： MBRB30H90CT-HE3/81
New Product
MBR(F,B)30H90CT & MBR(F,B)30H100CT
Vishay General Semiconductor
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Document Number: 88791
Revision: 19-May-08
2
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width
≤ 40 ms
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
VALUE
UNIT
Maximum instantaneous forward
voltage per diode (1)
IF = 15 A
IF = 30 A
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
VF
0.82
0.67
0.93
0.80
V
Maximum reverse current at rated VR
per diode (2)
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
IR
5.0
6.0
A
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
MBR
MBRF
MBRB
UNIT
Typical thermal resistance per diode
RθJC
1.9
4.6
1.9
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
TO-220AB
MBR30H100CT-E3/45
1.85
45
50/tube
Tube
ITO-220AB
MBRF30H100CT-E3/45
1.99
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB30H100CT-E3/45
1.35
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB30H100CT-E3/81
1.35
81
800/reel
Tape and reel
TO-220AB
MBR30H100CTHE3/45 (1)
1.85
45
50/tube
Tube
ITO-220AB
MBRF30H100CTHE3/45 (1)
1.99
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB30H100CTHE3/45 (1)
1.35
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB30H100CTHE3/81 (1)
1.35
81
800/reel
Tape and reel
Figure 1. Forward Derating Curve Per Diode
0
5
10
15
20
25
30
35
75
50
25
0
100
125
150
175
MBRF30H90CT - MBRF30H100CT
MBR30H90CT - MBR30H100CT
MBRB30H90CT - MBRB30H100CT
A
v
er
age
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Case Temperature (°C)
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
0
50
100
150
200
250
300
1
10
100
T
J = TJ Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRB30H100CT-E3/81 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBR30H100CTHE3/45 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR30H90CT-HE3/45 15 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR3100RL 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR340 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBRB40100CT 制造商:SENSITRON 制造商全稱:Sensitron 功能描述:SCHOTTKY RECTIFIER
MBRB40100CTTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:880mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
MBRB40150CTTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 150V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
MBRB40200CTTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 200V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
MBRB40250T 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:250 V, 40 A SWITCHMODE Schottky Power Rectifier
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