參數(shù)資料
型號： MBRB30150CT
廠商： SENSITRON SEMICONDUCTOR
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 82K
代理商： MBRB30150CT
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
(631) 586-7600 FAX (631) 242-9798
World Wide Web Site - http://www.sensitron.com E-Mail Address - sales@sensitron.com
MBR30150CT
MBRB30150CT
MBR30150CT-1
Data Sheet 2929, Rev. B
Maximum Ratings:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Peak Inverse Voltage
VRWM
-
150
V
Max. Average Forward
IF(AV)
50% duty cycle @TC = 133°C,
rectangular wave form
30
A
Peak Repetitive Forward
Current(per leg)
IFRM
Rated VR square wave,
20KHz TC = 133°C
20
A
Max. Peak One Cycle Non-
Repetitive Surge Current
(per leg)
IFSM
8.3 ms, half Sine pulse
150
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Symbol
Condition
Max.
Units
Max. Forward Voltage Drop
(per leg) *
VF1
@ 15 A, Pulse, TJ = 25 °C
@ 30 A, Pulse, TJ = 25 °C
1.00
1.20
V
VF2
@ 15 A, Pulse, TJ = 125
°C
@ 30 A, Pulse, TJ = 125 °C
0.80
0.90
V
Max. Reverse Current (per
leg) *
IR1
@VR = rated VR
TJ = 25 °C
1.0
mA
IR2
@VR = rated VR
TJ = 125 °C
6.0
mA
Max. Junction Capacitance
(per leg)
CT
@VR = 5V, TC = 25 °C
fSIG = 1MHz
400
pF
Typical Series Inductance
(per leg)
LS
Measured lead to lead 5 mm from
package body
8.0
nH
Max. Voltage Rate of Change
dv/dt
-
10,000
V/
s
* Pulse Width < 300s, Duty Cycle <2%
Thermal-Mechanical Specifications:
Characteristics
Symbol
Condition
Specification
Units
Max. Junction Temperature
TJ
-
-55 to +150
°C
Max. Storage Temperature
Tstg
-
-55 to +150
°C
Maximum Thermal
Resistance Junction to Case
RθJC
DC operation
2.0
°C/W
Maximum Thermal
Resistance, Case to Heat
Sink
RθJA
DC operation
60
°C/W
Maximum Thermal
Resistance, Case to Heat
Sink
RθCS
Mounting surface,
smooth and greased
0.50
°C/W
Approximate Weight
wt
-
2
g
Mounting Torque
TM
-
6(Min.)
12(Max.)
Kg-cm
Case Style
TO-220AB D
2PAK TO-262
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR30150CT-1 30 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
MBR3035-E3/4W 30 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR3035CT-1-G 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
MBR3045CT-1-G 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
MBR3035CT-E3/45 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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參數(shù)描述
MBRB3030 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SWITCHMODE⑩ Power Rectifier
MBRB3030CT 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRB3030CTG 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 30V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRB3030CTL 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 30V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRB3030CTLG 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 30V Low Vf RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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