參數(shù)資料
型號(hào)： MBRA180T3
廠(chǎng)商： 美麗微半導(dǎo)體有限公司
英文描述： Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
中文描述： 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門(mén)
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 71K
代理商： MBRA180T3
0.1
1.0
.01
10
50
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (MBRA120T3 thru MBRA1100T3)
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE,(V)
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
FORWARD VOLTAGE,(V)
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
350
300
250
200
150
100
50
0
.01 .05 .1 .5 1 5 10 50 100
.1 .3 .5 .7 .9 1.1 1.3 1.5
3.0
.1
1.0
10
100
FIG.5 - TYPICAL REVERSE
CHARACTERISTICS
REVERSE LEAKAGE CURRENT, (mA)
0 20 40 60 80 100 120 140
.01
Tj=75 C
MBRA120~MBRA140
MBRA150~MBRA1100
MBRA150~MBRA160
MBRA180~MBRA1100
MBRA120~MBRA140
Tj=25 C
Tj=25 C
AMBIENT TEMPERATURE,( C)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
FIG.2-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
0
12
6
18
30
24
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
1
10
5
50
100
Tj=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRF10H90CT MBR10H100CT, MBRF10H100CT & MBRB10H100CT Series
MBRF10H90CT Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBR10H90CT Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBRB10H90CT Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBRB10100CT MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITOR, NPO SMD 0603
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBRA190 制造商:EIC 制造商全稱(chēng):EIC discrete Semiconductors 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
MBRA1H100T3G 功能描述:肖特基二極管與整流器 1A 100V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRA210ET3 功能描述:肖特基二極管與整流器 2A 10V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBRA210ET3_08 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Surface Mount Schottky Power Rectifier
MBRA210ET3G 功能描述:肖特基二極管與整流器 2A 10V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
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