參數(shù)資料
型號(hào)： MBR30H100CT
元件分類： 整流器
英文描述： 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 122K
代理商： MBR30H100CT
Version:E11
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (MBR30H100CT)
FIG.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
0
5
10
15
20
25
30
35
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
LEAD TEMPERATURE (
oC)
AVER
AG
E
F
O
R
W
AR
D
A
CURRE
NT
(A
)
RESISTIVE OR
INDUCTIVELOA
FIG. 2 MAXIMUM FORWARD SURGE
CURRENT
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
PEAK
F
O
R
W
AR
D
SU
R
G
E
A
CURRE
NT
(A
)
8.3mS Single Half Sine Wave
JEDEC Method
FIG. 4 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)
R
EVER
SE
L
EAKAG
E
CURRE
NT
(uA
)
TA=125℃
TA=25℃
TA=150℃
FIG. 5 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
10
100
1000
0.1
1
10
100
REVERSE VOLTAGE (V)
JUNCT
IO
N
C
APAC
IT
AN
C
E
(
pF
)
A
FIG. 3 TYPICAL FORWARD CHARACTERISRICS
0.1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
FORWARD VOLTAGE (V)
FOR
W
A
R
D
CURRE
NT
(A
)
TA=150℃
TA=25℃
TA=125℃
FIG. 6 TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
PER LEG
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
T-PULSE DURATION(s)
T
R
AN
SIEN
T
H
ER
MAL
IMPED
AN
C
E
(
℃
/W
)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR30H100PT-E3 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
MBR30H150CT-E3 15 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR30H35CT/45-E3 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR30H45CT-E3 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR30H50CT-E3 15 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR30H100CT C0 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 100V DUAL SCHOTTKY RECTIFIER RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR30H100CT/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 100 Volt 30A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR30H100CT_08 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:SWITCHMODE? Power Rectifier
MBR30H100CT-E1 制造商:BCDSEMI 制造商全稱:BCD Semiconductor Manufacturing Limited 功能描述:HIGH VOLTAGE POWER SCHOTTKY RECTIFIER
MBR30H100CT-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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