參數(shù)資料
型號： MBR3050PTL
廠商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 整流器
英文描述： 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 81K
代理商： MBR3050PTL
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
MBR3030PTL thru MBR3060PTL
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE , VOLTS
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
,(
A
)
0.3
0.4
0.8
0.9
1.0
10
100
0.5
0.6
0.7
0.1
1.0
PULSE WIDTH 300ua
FIG.4 - TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
0.2
1.0
10
100
0.1
PULSE WIDTH 300us
TJ = 25 C
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE ,(%)
FIG.3 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,(
m
A
)
20
40
120
140
0
0.01
1.0
100
10
60
80
100
0.1
TJ = 125 C
TJ = 25 C
TJ = 75 C
MBR3030PTL~ MBR3045PTL
MBR3050PTL ~ MBR3060PTL
FIG.5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
C
A
P
A
C
IT
A
N
C
E
,
(p
F
)
REVERSE VOLTAGE , VOLTS
TJ = 25 C, f= 1MHz
FIG.2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
P
E
A
K
F
O
R
W
A
R
D
S
U
R
G
E
C
U
R
E
N
T
,
A
M
P
E
R
E
S
1
5
10
50
100
2
20
50
100
150
200
FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE
A
V
E
R
A
G
E
F
O
R
W
A
R
D
C
U
R
E
N
T
A
M
P
E
R
E
S
25
75
100
125
150
10
0
50
40
175
8.3ms Single Half-Sine-Wave
30
0
20
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
CASE TEMPERATURE , C
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBR3045ST 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
MBR3030ST 30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
MBR3060WT 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
MBR30H100CT/45-E3 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR30H100CT/45 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
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參數(shù)描述
MBR3050ST 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR3060 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:30 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier
MBR3060/3P 制造商:ASEMI 制造商全稱:ASEMI 功能描述:Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
MBR3060CT 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR3060CT C0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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