參數(shù)資料
型號： MBR2535CT-E3/45
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 129K
代理商： MBR2535CT-E3/45
Document Number: 88675
For technical questions within your region, please contact one of the following:
www.vishay.com
Revision: 15-Jun-10
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
MBR(F,B)2535CT thru MBR(F,B)2560CT
Vishay General Semiconductor
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Fig. 1 - Forward Current Derating Curve
Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge
Current Per Diode
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
0
6
18
12
30
0
50
100
150
24
Resistive or Inductive Load
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Cu
rrent
(A)
Case Temperature (°C)
0
25
75
50
125
100
150
1
100
10
T
J = TJ Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
P
eak
F
orw
ard
Surge
Current
(A)
100
10
1.0
0.1
0.01
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
0
0.2
0.1
0.5
1.0
0.4
0.3
0.6
0.7
0.8
0.9
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous
F
orw
ard
Current
(A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
1
10
100
0.01
0.001
0.1
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
20
0
100
40
60
80
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
Instantaneous
Re
v
e
rse
Current
(mA)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
10
1
100
1000
10 000
100
0.1
MBR2535CT - MBR2545CT
MBR2550CT & MBR2560CT
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capaci
tance
(pF)
0.01
10
1
100
10
100
0.1
1
t - Pulse Duration (s)
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/W)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRB2535CT-HE3/45 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBRB2560CTHE3/45 15 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MBR2545CT 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR2545CT 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MBR2530CT 30 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR2535CTG 功能描述:肖特基二極管與整流器 25A 35V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR2535CTHE3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 35 Volt 25A Dual Common-Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR2535CTL 功能描述:肖特基二極管與整流器 25 A 35 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR2535CTLG 功能描述:肖特基二極管與整流器 25 A 35 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR2535CTPBF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 35V 15A TO220AB RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*