型號(hào): | MBR20H200CTE3 |
廠商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 整流器 |
英文描述: | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
封裝: | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 378K |
代理商: | MBR20H200CTE3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MBRF20H200CTE3 | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MBR20H90CTG-HE3/45 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MBR20H100CTG-E3/45 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MBR2545CT-006 | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MBR30060CT | 150 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MBR20H200CT-E3 | 制造商:KERSEMI 制造商全稱:Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Guarding for overvoltage protection |
MBR20H200CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 20 Amp 200 Volt Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
MBR20H200FCT | 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers |
MBR20H35CT | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual Schottky Barrier Rectifier |
MBR20H35CT-E3/45 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 20 Amp 35 Volt Dual Common Cathode RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |