參數(shù)資料
型號(hào)： MBR10H35-E3/45
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 131K
代理商： MBR10H35-E3/45
MBR(F,B)10H35 thru MBR(F,B)10H60
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
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Document Number: 88780
Revision: 19-May-08
2
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, 1 % duty cycle
(2) Pulse test: Pulse width
≤ 40 ms
Note:
(1) Automotive grade AEC Q101 qualified
Operating junction temperature range
TJ
- 65 to + 175
°C
Storage temperature range
TSTG
- 65 to + 175
°C
Isolation voltage (ITO-220AC only)
from terminal to heatsink t = 1 min
VAC
1500
V
MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
MBR10H35
MBR10H45
MBR10H50
MBR10H60
UNIT
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
TEST CONDITIONS
SYMBOL
MBR10H35
MBR10H45
MBR10H50
MBR10H60
UNIT
TYP.
MAX.
TYP.
MAX.
Maximum instantaneous forward voltage (1)
IF = 10 A
IF = 20 A
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
VF
-
0.49
-
0.62
0.63
0.55
0.75
0.68
-
0.57
-
0.68
0.71
0.61
0.85
0.71
V
Maximum reverse current at rated VR
(2)
TJ = 25 °C
TJ = 125 °C
IR
-
4.0
100
12
-
2.0
100
12
A
mA
THERMAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
MBR
MBRF
MBRB
UNIT
Maximum thermal resistance
RθJC
2.0
4.0
2.0
°C/W
ORDERING INFORMATION (Example)
PACKAGE
PREFERRED P/N
UNIT WEIGHT (g)
PACKAGE CODE
BASE QUANTITY
DELIVERY MODE
TO-220AC
MBR10H45-E3/45
1.80
45
50/tube
Tube
ITO-220AC
MBRF10H45-E3/45
1.94
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB10H45-E3/45
1.33
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB10H45-E3/81
1.33
81
800/reel
Tape and reel
TO-220AC
MBR10H45HE3/45 (1)
1.80
45
50/tube
Tube
ITO-220AC
MBRF10H45HE3/45 (1)
1.94
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB10H45HE3/45 (1)
1.33
45
50/tube
Tube
TO-263AB
MBRB10H45HE3/81 (1)
1.33
81
800/reel
Tape and reel
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBRF10H35-HE3/45 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
MBRB1545CT 7.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
MBR1545CT-1 7.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
MBR1535CT-1 7.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA
MBRB1545CT 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MBR10H45 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers
MBR10H45/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 45 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR10H45-E3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 45 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR10H45HE3/45 功能描述:肖特基二極管與整流器 45 Volt 10A Single 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
MBR10H50 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers
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