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參數(shù)資料
| 型號： | M28W160ECT85ZB6E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 21/50頁 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M28W160ECT85ZB6E |
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M28W160ECT, M28W160ECB
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment
12., Operating and AC Measurement Conditions
.
Designers should check that the operating condi-
tions in their circuit match the measurement condi-
tions when relying on the quoted parameters.
Conditions
summarized
in
Table
Table 12. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 7. AC Measurement I/O Waveform
Figure 8. AC Measurement Load Circuit
Table 13. Capacitance
Symbol
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M28W160ECT, M28W160ECB
Units
70
85
90
100
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
V
DD
Supply Voltage
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
V
V
DDQ
Supply Voltage (V
DDQ
≤
V
DD
)
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
1.65
3.6
V
Ambient Operating Temperature
– 40
85
– 40
85
– 40
85
– 40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
50
50
50
50
pF
Input Rise and Fall Times
5
5
5
5
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
AI00610
VDDQ
0V
VDDQ/2
AI00609C
VDDQ
CL
CL includes JIG capacitance
25k
DEVICE
UNDER
TEST
0.1μF
VDD
0.1μF
VDDQ
25k
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160ECT85ZB6F | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT90ZB6T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT90ZB6U | 18-fold ESD transient voltage suppressor - C<sub>d</sub> max.: 120 pF; I<sub>RM</sub> max: 2A; Number of protected lines: 18 ; P<sub>PP</sub> max: 0 W; V<sub>BR</sub> typ.: 6.8 V; V<sub>RWM</sub>: 5.25 V |
| M28W160B-GBT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160B-ZBT | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W160ECT85ZB6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85ZB6S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85ZB6U | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT90N1 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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