MT29F2G08AB

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MT29F2G08AB 技術(shù)參數(shù)

MT29F2G08AADWP-ET:D TR 功能描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT29F2G08AADWP:D TR 功能描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標(biāo)準(zhǔn)包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT29F2G08AACWP:C TR 功能描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 MT29F2G08AABWP-ET 功能描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 MT29F2G08AABWP 功能描述:IC FLASH 2GBIT 48TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR MT29F2G08ABAEAM69A3WC1 MT29F2G08ABAEAWP:E MT29F2G08ABAEAWP:E TR MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E MT29F2G08ABAEAWP-AITX:E TR MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR MT29F2G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E