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MMBTH10LT1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • MMBTH10LT1G
    MMBTH10LT1G

    MMBTH10LT1G

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18320850923

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 50000

  • 21+

  • -
  • 全新進口原裝現(xiàn)貨

  • MMBTH10LT1G
    MMBTH10LT1G

    MMBTH10LT1G

  • 深圳市瑞斯特電子科技有限公司
    深圳市瑞斯特電子科技有限公司

    聯(lián)系人:楊銳鋒

    電話:0755-8255091013189682405

    地址:深圳福田區(qū)華強廣場二樓Q2B046

  • 6000

  • ONSEMI

  • -
  • 高品質!價格美麗!

  • MMBTH10LT1G
    MMBTH10LT1G

    MMBTH10LT1G

  • 深圳市企諾德電子有限公司
    深圳市企諾德電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:13480313979

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ON/安森美

  • 22+

  • N/A

  • -
  • 原裝正品 專業(yè)BOM配單

  • MMBTH10LT1G
    MMBTH10LT1G

    MMBTH10LT1G

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • ON SEMICONDUCTOR

  • 主營優(yōu)勢

  • 1914

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

MMBTH10LT1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 技術參數(shù)
  • MMBTA92,215 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):250nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:MMBTA92 標準包裝:1 MMBTA92 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA63-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA44-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):750mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 MMBTA42,215 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:MMBTA42 標準包裝:1 MMBTH81 MMBTH81_D87Z MMBV105GLT1 MMBV105GLT1G MMBV109LT1 MMBV109LT1G MMBV109LT3 MMBV109LT3G MMBV2101LT1 MMBV2101LT1G MMBV2105LT1 MMBV2105LT1G MMBV2107LT1 MMBV2107LT1G MMBV2108LT1 MMBV2108LT1G MMBV2109LT1 MMBV2109LT1G
配單專家

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