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MJD128T4

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
MJD128T4 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS DARL PNP 8A 120V DPAK
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換
  • 100MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 其它名稱
  • MMBT489LT1GOSDKR
MJD128T4 技術(shù)參數(shù)
  • MJD127T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 80mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MJD122T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 80mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MJD122-1 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 80mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-251-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 MJD117T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 40mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MJD112T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 40mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):20μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MJD210 MJD210G MJD210RL MJD210RLG MJD210T4 MJD210T4G MJD210TF MJD243 MJD243G MJD243T4 MJD243T4G MJD253-001 MJD253-1G MJD253T4 MJD253T4G MJD2955 MJD2955-001 MJD2955-1G
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