MT47H64M8B6-25EL

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MT47H64M8B6-25EL
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
38600
MICRON
FBGA
2022+
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原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

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MT47H64M8B6-25EL 技術參數(shù)

MT47H64M8B6-25E:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 MT47H64M8B6-25E L:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36）速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22）包裝:托盤其它名稱:71V3557SA75BGI MT47H64M8B6-25E IT:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16）速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7）包裝:托盤 MT47H64M8B6-25:D TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60VFBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 MT47H64M4BP-37E:B TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商設備封裝:8-PDIP 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) MT47H64M8CB-3:B TR MT47H64M8CB-37E IT:B MT47H64M8CB-37E IT:B TR MT47H64M8CB-37E:B MT47H64M8CB-37E:B TR MT47H64M8CB-37V:B MT47H64M8CB-37V:B TR MT47H64M8CB-5E IT:B MT47H64M8CB-5E IT:B TR MT47H64M8CB-5E:B MT47H64M8CB-5E:B TR MT47H64M8CF-187E:G MT47H64M8CF-25E AIT:G MT47H64M8CF-25E AIT:G TR MT47H64M8CF-25E IT:G MT47H64M8CF-25E IT:G TR MT47H64M8CF-25E L:G MT47H64M8CF-25E L:G TR