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MT41K256M8V89CWC1

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MT41K256M8V89CWC1 技術(shù)參數(shù)
  • MT41K256M8HX-187E:D 功能描述:IC DDR3L SDRAM 2GBIT 78FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) MT41K256M8HX-15E:D 功能描述:IC DDR3L SDRAM 2GBIT 78FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) MT41K256M8DA-15E:M 功能描述:IC DDR3 SDRAM 2GBIT 78FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) MT41K256M8DA-125:M 功能描述:IC DDR3 SDRAM 2GBIT 78FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) MT41K256M8DA-125:K TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC COMM 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC COMMERCIAL PBF FBGA 1.35V - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC DDR3L SDRAM 2GBIT 78FBGA MT41K512M16HA-107:A MT41K512M16HA-107G:A MT41K512M16HA-125 AIT:A MT41K512M16HA-125 AIT:A TR MT41K512M16HA-125 IT:A MT41K512M16HA-125:A MT41K512M16TNA-107:E MT41K512M16TNA-125 IT:E MT41K512M16TNA-125 IT:E TR MT41K512M16TNA-125 M:E MT41K512M16TNA-125 M:E TR MT41K512M16TNA-125:E MT41K512M16TNA-125:E TR MT41K512M4DA-107:K MT41K512M4DA-125:K MT41K512M4DA-125:K TR MT41K512M4DA-125:M MT41K512M4HX-15E:D
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