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MMSZ5231B RHG

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MMSZ5231B RHG 技術參數(shù)
  • MMSZ5227BS-7 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 200MW SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):24 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 標準包裝:1 MMSZ5225BS-7-F 功能描述:DIODE ZENER 3V 200MW SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-76,SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 基本零件編號:MMSZ5225B 標準包裝:1 MMSTA64-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMSTA64-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 MMSTA63-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMSZ5231BS-7 MMSZ5231BS-7-F MMSZ5231BT1 MMSZ5231BT1G MMSZ5231BT3 MMSZ5231BT3G MMSZ5231B-TP MMSZ5231C-E3-08 MMSZ5231C-E3-18 MMSZ5231C-G3-08 MMSZ5231C-G3-18 MMSZ5231C-HE3-08 MMSZ5231C-HE3-18 MMSZ5231CT1G MMSZ5231ET1 MMSZ5232B MMSZ5232B RHG MMSZ5232B-7
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