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MLF2012DR33MT

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  • MLF2012DR33MT000
    MLF2012DR33MT000

    MLF2012DR33MT000

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯(lián)系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 955

  • 原廠

  • 21+

  • -
  • 百分百進口原裝現(xiàn)貨,價格有優(yōu)勢。

  • MLF2012DR33MT000
    MLF2012DR33MT000

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • MLF2012DR33MT
    MLF2012DR33MT

    MLF2012DR33MT

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • 原廠品牌

  • 標準封裝

  • 09/10+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • MLF2012DR33MT
    MLF2012DR33MT

    MLF2012DR33MT

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • 原廠品牌

  • 標準封裝

  • 09/10+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • MLF2012DR33MT
    MLF2012DR33MT

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6450

  • TDK

  • ROHS

  • 1316+

  • -
  • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存!400-800-03...

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MLF2012DR33MT 技術參數(shù)
  • MLF2012DR33M 功能描述:330nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 400 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330nH 容差:±20% 額定電流:250mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):400 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR33KTD25 功能描述:330nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 400 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330nH 容差:±10% 額定電流:250mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):400 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR33KT000 功能描述:330nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 400 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330nH 容差:±10% 額定電流:250mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):400 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR33JTD25 功能描述:330nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 400 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330nH 容差:±5% 額定電流:250mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):400 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:200MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR27MTD25 功能描述:270nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 350 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:270nH 容差:±20% 額定電流:250mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):350 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:250MHz 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.05mm) 標準包裝:1 MLF2012DR39MTD25 MLF2012DR47JT000 MLF2012DR47JTD25 MLF2012DR47KT000 MLF2012DR47KTD25 MLF2012DR47M MLF2012DR47MT MLF2012DR47MT000 MLF2012DR47MTD25 MLF2012DR56JT000 MLF2012DR56JTD25 MLF2012DR56KT000 MLF2012DR56KTD25 MLF2012DR56M MLF2012DR56MT MLF2012DR56MT000 MLF2012DR56MTD25 MLF2012DR68JT000
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