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MCH6431-P-TL-H

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

MCH6431-P-TL-H
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
4341
ON
SOT-363-6
2219+
-
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功能描述
MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

MCH6431-P-TL-H 技術(shù)參數(shù)

MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:375mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:450MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6445-TL-W MCH6448-TL-H MCH6448-TL-W MCH6534-TL-E MCH6536-TL-E MCH6541-TL-E MCH6542-TL-E MCH6544-TL-E MCH6545-TL-E MCH6601-TL-E MCH6602-TL-E MCH6603-TL-H MCH6604-TL-E MCH6605-TL-E MCH6606-TL-E MCH6613-TL-E MCH6626-TL-E MCH6660-TL-H