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MCH4013-TL-E

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • MCH4013-TL-E
    MCH4013-TL-E

    MCH4013-TL-E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話(huà):19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • MCH4013-TL-E
    MCH4013-TL-E

    MCH4013-TL-E

  • 甄芯網(wǎng)
    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:柯先生/趙小姐

    電話(huà):0755-83665813

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門(mén)市部:中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 63000

  • SANYO

  • SOT-343

  • 10+

  • -
  • 原裝可以供更多

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共14條 
  • 1
MCH4013-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS NPN 15MA 3.5V MCPH4
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路
  • 系列
  • *
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶體管類(lèi)型
  • NPN
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換
  • 100MHz
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 其它名稱(chēng)
  • MMBT489LT1GOSDKR
MCH4013-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,1V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40mA 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:4-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 900mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 2A,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):6nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):800mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):890 毫歐 @ 400mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH5839-TL-H MCH5839-TL-W MCH5908G-TL-E MCH5908H-TL-E MCH6001-TL-E MCH6101-TL-E MCH6102-TL-E MCH6103-TL-E MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E MCH6203-TL-E MCH6320-TL-E MCH6320-TL-W MCH6321-TL-W
配單專(zhuān)家

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