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MBRI20100CT C0G

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MBRI20100CT C0G 技術參數(shù)
  • MBRH20045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io):200A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):700mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 45V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-67 供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MBRH20045 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io):200A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-67 供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:* 標準包裝:50 MBRH12045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):700mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 45V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-67 半封裝 供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MBRH12040R 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):700mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-67 半封裝 供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MBRH12040 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A D67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):40V 電流 - 平均整流(Io):120A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4mA @ 20V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:* 封裝/外殼:D-67 供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:* 標準包裝:50 MBRM110LT3 MBRM110LT3G MBRM120ET1 MBRM120ET1G MBRM120ET3 MBRM120ET3G MBRM120LT1 MBRM120LT1G MBRM120LT3G MBRM130LT1 MBRM130LT1G MBRM130LT3G MBRM140T1 MBRM140T1G MBRM140T3 MBRM140T3G MBRM1H100T3G MBRM2H100T3G
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