MBR30035CTL

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MBR30035CTL 技術(shù)參數(shù)

MBR30035CT 功能描述:DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:35V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 150A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:8mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應(yīng)商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR2X120A045 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 240A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:240A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 120A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 45V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MBR2X100A180 功能描述:DIODE SCHOTTKY 180V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:180V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:920mV @ 100A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 180V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MBR2X080A100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:160A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:840mV @ 80A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MBR2X080A045 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 160A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:160A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 80A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 45V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MBR30045CTRL MBR30060CT MBR30060CTR MBR30080CT MBR30080CTR MBR30100CT MBR30100CT C0G MBR30100CT-BP MBR30100CT-E1 MBR30100CTE3/TU MBR30100CTF-E1 MBR30100CTF-G1 MBR30100CT-G1 MBR30100CTHC0G MBR30100CT-LJ MBR30100CTP MBR30100CTU MBR30100FCTE3/TU