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M58BW32FB5T3T TR

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  • M58BW32FB5T3T TR
    M58BW32FB5T3T TR

    M58BW32FB5T3T TR

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖先生

    電話：13612973190

    地址：廣東省深圳市華強(qiáng)北上航大廈西座410室

  • 9000

  • Micron

  • 80-BQFP

  • 22+

  • -

  • 原廠渠道，現(xiàn)貨配單

  • M58BW32FB5T3T TR
    M58BW32FB5T3T TR

    M58BW32FB5T3T TR

  • 萬三科技（深圳）有限公司
    萬三科技（深圳）有限公司

    聯(lián)系人：王小康

    電話：181886423070755-21006672

    地址：深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • Micron Technology Inc.

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -

  • 萬三科技 秉承原裝 實單可議

  • M58BW32FB5T3T TR
    M58BW32FB5T3T TR

    M58BW32FB5T3T TR

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Micron

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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M58BW32FB5T3T TR 技術(shù)參數(shù)
  • M58BW32FB5T3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80PQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ M58BW32FB5T3F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 55NS 80QFP M58BW32FB4ZA3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 45NS 80LBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ M58BW32FB4ZA3F 功能描述:IC FLASH 32MBIT 45NS 80LBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ M58BW32FB4T3T 功能描述:IC FLASH 32MBIT 45NS 80PQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ M58LR128KT85ZB5E M58LR128KT85ZB5F TR M58LR128KT85ZB6E M58LR128KT85ZB6F TR M58LR256KB70ZC5E M58LR256KB70ZC5F TR M58LR256KB70ZC5W TR M58LR256KB70ZC5Z M58LR256KB70ZQ5E M58LR256KB70ZQ5F TR M58LR256KB70ZQ5W TR M58LR256KB70ZQ5Z M58LR256KT70ZC5E M58LR256KT70ZC5F TR M58LR256KT70ZQ5E M58LR256KT70ZQ5F TR M58LT128HSB8ZA6E M58LT128HSB8ZA6F
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