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參數(shù)資料
| 型號： | kw25n120 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Fast S-IGBT in NPT-technology( NPT 技術(shù)中的快速S-IGBT) |
| 中文描述： | 快速的S -不擴散核武器條約IGBT的技術(shù)（不擴散技術(shù)中的快速第S - IGBT的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 380K |
| 代理商： | KW25N120 |
Preliminary
SKW25N120
Power Semiconductors
4
Mar-00
I
C
,
C
10Hz
100Hz
f
,
SWITCHING FREQUENCY
Figure 1. Collector current as a function of
switching frequency
(
T
j
≤
150
°
C,
D =
0.5,
V
CE
= 800V,
V
GE
= +15V/0V,
R
G
= 22
)
1kHz
10kHz
100kHz
0A
20A
40A
60A
80A
100A
T
C
=110°C
T
C
=80°C
I
C
,
C
1V
10V
100V
1000V
0.1A
1A
10A
100A
DC
1ms
200
μ
s
50
μ
s
15
μ
s
t
p
=1
μ
s
V
CE
,
COLLECTOR
-
EMITTER VOLTAGE
Figure 2. Safe operating area
(
D =
0,
T
C
= 25
°
C,
T
j
≤
150
°
C)
P
t
,
P
25°C
50°C
T
C
,
CASE TEMPERATURE
Figure 3. Power dissipation as a function
of case temperature
(
T
j
≤
150
°
C)
75°C
100°C
125°C
0W
50W
100W
150W
200W
250W
300W
350W
I
C
,
C
25°C
50°C
T
C
,
CASE TEMPERATURE
75°C
100°C
125°C
0A
10A
20A
30A
40A
50A
60A
Figure 4. Collector current as a function of
case temperature
(
V
GE
≤
15V,
T
j
≤
150
°
C)
I
c
I
c
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PDF描述 |
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