參數(shù)資料
型號(hào)： KSP13
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CAP 100PF 50V CERAMIC C0G 5%
中文描述： 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 33K
代理商： KSP13
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. A2, September 2002
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Base-Emitter On Voltage
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
1
10
100
1000
1k
10k
100k
1M
V
CE
= 5V
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
10
100
0.1
1
10
I
C
= 1000 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
10
100
V
CE
= 5V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
10
100
1000
V
CE
= 5V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
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KSP13BU_Q 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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KSP13TA 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSP13TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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