參數(shù)資料
型號： KSH31C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
中文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： KSH31C
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
K
Rev. B3, October 2002
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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KSH31CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSH31CTM 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSH31TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KSH32 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
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