參數(shù)資料
型號(hào)： KSH31C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
中文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： KSH31C
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B3, October 2002
K
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating
0.01
0.1
1
10
1
10
100
1000
V
CE
= 2V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
0.1
1
t
R
, V
CC
=30V
t
R
, V
CC
=10V
t
C
= 10.I
B
t
D
, V
BE
(off)=2V
t
R
,
D
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
t
STG
t
F
, V
CC
=30V
t
C
= 10.I
B
t
F
, V
CC
(off)=10V
t
F
,
S
[
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
K
10
μ
s
50
μ
s
K
1m
DC
I
CP
(max)
I
C
(max)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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KSH31CTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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KSH32 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications
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