參數(shù)資料
型號: KSH122-I
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: D-PAK for Surface Mount Applications
中文描述: 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: IPAK-3
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 57K
代理商: KSH122-I
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A4, October 2002
K
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
0.1
1
10
100
1k
10k
V
CE
= 4V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 250 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
= 30V
I
C
=250I
B
I
B1
=-I
B2
t
D
, V
BE
(off)=0
t
R
t
R
,
D
[
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.1
1
10
V
CC
=30V
I
C
=250I
B
t
F
t
STG
t
S
,
F
[
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
500
μ
s
1ms
DC
5ms
100
μ
s
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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KSH122TF 功能描述:達林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
KSH122TM 功能描述:達林頓晶體管 NPN Sil Darl Trans RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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