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參數(shù)資料
| 型號： | KSH112 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | D-PAK for Surface Mount Applications |
| 中文描述： | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | KSH112 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A4, October 2002
K
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KSH112-I | D-PAK for Surface Mount Applications |
| KSH117 | D-PAK for Surface Mount Applications |
| KSH117-I | D-PAK for Surface Mount Applications |
| KSH122-I | D-PAK for Surface Mount Applications |
| KSH122 | D-PAK for Surface Mount Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KSH112GTM | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSH112GTM_NB82051 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSH112GTM_SB82051 | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| KSH112I | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:D-PAK for Surface Mount Applications |
| KSH112-I | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:D-PAK for Surface Mount Applications |
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