參數(shù)資料
型號(hào)： KS32C6200
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 16/32-Bit RISC Microcontroller(16/32-位 RISC微控制器)
中文描述： 16/32位RISC微控制器（16/32位的RISC微控制器）
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
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代理商： KS32C6200
TECHNICAL SUMMARY KS32C6200 MICROPROCESSOR
6
Pin Assignments
KS32C6200
160 TQFP
(Top View)
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
GND1
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VCC1
GND2
GOP12
NC
NC
NC
NC
NC
NC
GPIO0/TCK
GPIO1/TMS
GPIO2/TDI
GPIO3/nTRST
G
V
n
P
B
n
S
n
n
n
n
G
P
P
P
P
P
P
P
P
2
V
D
D
D
D
D
D
D
G
D
D
D
D
D
D
D
D
D
V
nECS2
nECS1
nECS0
VCC6
nWBE1
nWBE0
nWE
nOE
nCAS1
nCAS0
nRAS1
nRAS0
nRCS2
nRCS1
nRCS0
GND6
ADDR21
ADDR20
ADDR19
ADDR18
ADDR17
ADDR16
ADDR15
ADDR14
VCC5
ADDR13
ADDR12
ADDR11
ADDR10
ADDR9
ADDR8
ADDR7
ADDR6
GND5
ADDR5
ADDR4
ADDR3
ADDR2
ADDR1
ADDR0
N
V
G
G
G
G
G
G
G
G
G
E
E
N
N
N
N
N
N
G
G
G
G
V
G
G
M
n
G
C
G
T
T
G
G
G
G
n
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4
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113
112
111
110
109
108
107
106
105
104
103
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
N
N
Note ; 'NC' pins are reserved for Additional function units
No connection is recommended
FIGURE 2. KS32C6200 PIN ASSIGNMENTS
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PDF描述
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參數(shù)描述
KS3302BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS3302TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
KS33J4 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
KS33K5 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:40 W Transient Voltage Suppressor Diode
KS34A 制造商:Baumer Electric Ag 功能描述:
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