參數(shù)資料
型號： KFN2G16Q2M-DEB6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： MuxOneNAND FLASH MEMORY
中文描述： MuxOneNAND閃存
文件頁數(shù)： 80/124頁
文件大小： 1550K
代理商： KFN2G16Q2M-DEB6
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
80
There are multiple methods for erasing data in the device including Block Erase and Multi-Block Erase.
3.10.1 Block Erase Operation
See Timing Diagram 6.8
The device can be erased one block at a time. To erase a block is to write all 1's into the desired memory block by executing the Inter-
nal Erase Routine. All previous data is lost.
Block Erase Operation Flow Chart
Start
Write ’DFS*, FBA’ of Flash
Add: F100h DQ=DFS*, FBA
Write ’Erase’ Command
Add: F220h DQ=0094h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ=[15]=INT
Add: F240h DQ[10]=Error
Erase completed
DQ[10]=0
YES
Erase Error
NO
Read Controller
Status Register
: If erase operation results in an error, map out
*
the failing block and replace it with another block.
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
* DFS is for DDP
3.10 Erase Operation
相關PDF資料
PDF描述
KFN1G16Q2M-DED5 MuxOneNAND FLASH MEMORY
KFN1G16Q2M-DED6 MuxOneNAND FLASH MEMORY
KFM2G16Q2M-DED5 MuxOneNAND FLASH MEMORY
KFM2G16Q2M-DED6 MuxOneNAND FLASH MEMORY
KFN2G16Q2M-DED5 MuxOneNAND FLASH MEMORY
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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KFN2G16Q2M-DED6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY
KFN305DL08 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述:
KFN305DL3 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述:
KFN4G16Q2A-DEB8000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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