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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFN2G16Q2M-DEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 114/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 1550K |
| 代理商： | KFN2G16Q2M-DEB6 |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
114
6.13 Data Protection Timing During Power Down
V
CC
RP
NAND Write
Protected
Idle
MuxOneNAND Reset
INT
bit
MuxOneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
6.12 NAND Flash Core Reset Timing
AVD
ADQi
00F0h
CE
F220h
RDY
Operation or Idle
NAND Flash Core reset
Idle
MuxOneNAND
Operation
High-Z
INT
bit
WE
OE
t
Ready
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFN1G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN1G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFN2G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN305DL08 | 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述: |
| KFN305DL3 | 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述: |
| KFN4G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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