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參數(shù)資料
| 型號： | KFN2G16Q2M-DEB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 107/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 1550K |
| 代理商： | KFN2G16Q2M-DEB6 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁當(dāng)前第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
107
NOTE:
VA=Valid Read Address, WD=Write Data.
CE
WE
OE
RP
t
CS
t
DS
RDY
t
WPL
t
WPH
t
WC
t
CER
Hi-Z
Hi-Z
CLK
V
IL
t
CH
ADQ15-ADQ0
Valid WD
VA
Valid WD
AVD
t
AAVDS
t
AVDP
t
AAVDH
t
WEA
t
DH
t
CEZ
VA
6.5 Asynchronous Write
See AC Characteristics Table 5.7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFN1G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN1G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DED6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFN2G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN2G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN305DL08 | 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述: |
| KFN305DL3 | 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述: |
| KFN4G16Q2A-DEB8000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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