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參數(shù)資料
| 型號： | KFM1G16Q2M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 116/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 1550K |
| 代理商： | KFM1G16Q2M |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
116
NOTE :
1. VA = Valid Address. When the Internal Routine operation is complete, the toggle bits will stop toggling.
2. Before IOBE is set to 1, RDY and INT pin are High-Z state.
t
CES
t
AAVDS
t
AAVDH
t
IAA
Hi-Z
CE
CLK
AVD
OE
A/DQ0:
A/DQ15
RDY
2)
VA
1)
≈
≈
≈
t
RDYS
Status Data
≈
≈
VA
≈
≈
≈
Status Data
≈
≈
t
ACH
t
ACS
t
AVDO
6.16 Toggle Bit Timing in Synchronous Read Mode
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM1G16Q2M-DEB5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN1G16Q2M-DEB5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DEB5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN1G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFM1G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB MUXED SLC X16 FBGA - Trays |
| KFM1G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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