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參數(shù)資料
| 型號： | KFM1G16Q2M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| 中文描述： | MuxOneNAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 110/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 1550K |
| 代理商： | KFM1G16Q2M |
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MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2M-DEB5)
MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2M-DEB5)
FLASH MEMORY
110
NOTES:
1. AA = Address of address register
CA = Address of command register
ECD = Erase Command
EMA = Address of memory to be erased
SA = Address of status register
2. “In progress” and “complete” refer to status register
3. Status reads in this figure is asynchronous read, but status read in synchronous mode is also supported.
6.8 Block Erase Operation Timing
See AC Characteristics Tables 5.7 and 5.8
Program Command Sequence (last two cycles)
WE
CE
CLK
t
DS
t
DH
t
CH
t
WPL
t
CS
t
WPH
t
WC
SA
SA
ProIn
Completed
AA
OE
Read Status Data
V
IL
≈
≈
≈
≈
AVD
BA
CA
PCD
PMA
BD
t
AAVDH
t
AAVDS
t
PGM
INT
bit
t
AVDP
t
WEA
t
CER
A/DQ0:
A/DQ15
RDY
Hi-Z
t
CER
t
CEZ
t
CEZ
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFM1G16Q2M-DEB5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN1G16Q2M-DEB5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM2G16Q2M-DEB5 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFN1G16Q2M-DEB6 | MuxOneNAND FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFM1G16Q2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DEB6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DEB6000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:1GB MUXED SLC X16 FBGA - Trays |
| KFM1G16Q2M-DED5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
| KFM1G16Q2M-DED6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:MuxOneNAND FLASH MEMORY |
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