參數(shù)資料
型號(hào)： KFM1216Q2M-DEB
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 88/88頁(yè)
文件大?。?/td> 1150K
代理商： KFM1216Q2M-DEB
MuxOneNAND512(KFM1216Q2M)
FLASH MEMORY
88
13. ORDERING INFORMATION
K F X XX 1 6 X 2 M - X X B
Samsung
OneNAND Memory
Device Type
M : Single Chip
Density
12 : 512Mb
Operating Temperature Range
E = Extended Temp. (-30
°
C to 85
°
C)
Page Architecture
2 : 2KB Page
Version
1st Generation
Product Line desinator
B : Include Bad Block
D : Daisy Sample
Operating Voltage Range
Q : 1.8V(1.7 V to 1.95V)
Package
D : FBGA(Lead Free)
Organization
x16 Organization
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFM1216Q2M-DED FLASH MEMORY
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KFM220M SPECIFICATIONS FOR SAW FILTER(BAND PASS FILTERS FOR KOREAN PCS IF STAGE)
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KFN2G16Q2M-DEB5 MuxOneNAND FLASH MEMORY
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