參數(shù)資料
型號(hào)： KFG5616Q1M
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： OneNAND256
中文描述： OneNAND256
文件頁(yè)數(shù)： 22/93頁(yè)
文件大?。?/td> 1223K
代理商： KFG5616Q1M
OneNAND256
FLASH MEMORY
22
Detailed information of Address Map (word order)
-0000h~01FFh: 2(sector) x 512byte(NAND main area) = 1KB
0000h~00FFh(512B)
BootM 0
(sector 0 of page 0)
0100h~01FFh(512B)
BootM 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Main area)
-0200h~05FFh: 4(sector) x 512byte(NAND main area) = 2KB
0200h~02FFh(512B)
DataM 0_0
(sector 0 of page 0)
0300h~03FFh(512B)
DataM 0_1
(sector 1 of page 0)
0400h~04FFh(512B)
DataM 1_0
(sector 0 of page 1)
0500h~05FFh(512B)
DataM 1_1
(sector 1 of page 1)
DataRAM(Main area)
-8000h~800Fh: 2(sector) x 16byte(NAND spare area) = 32B
8000h~8007h(16B)
BootS 0
(sector 0 of page 0)
8008h~800Fh(16B)
BootS 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Spare area)
-8010h~802Fh: 4(sector) x 16byte(NAND spare area) = 64B
*NAND Flash array consists of 1KB page size and 64KB block size.
8010h~8017h(16B)
DataS 0_0
(sector 0 of page 0)
8018h~801Fh(16B)
DataS 0_1
(sector 1 of page 0)
8020h~8027h(16B)
DataS 1_0
(sector 0 of page 1)
8028h~802Fh(16B)
DataS 1_1
(sector 1 of page 1)
DataRAM(Spare area)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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KFG5616U1M-DIB OneNAND256
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參數(shù)描述
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KFG5616U1A-DIB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616U1A-DIB5000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:256MNOFLASHADE-MUXED SLC W/X16(7X9) - Bulk
KFG5616U1A-DIB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
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