參數(shù)資料
型號(hào)： KFG5616D1M-DEB
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： OneNAND256
中文描述： OneNAND256
文件頁(yè)數(shù)： 64/93頁(yè)
文件大?。?/td> 1223K
代理商： KFG5616D1M-DEB
OneNAND256
FLASH MEMORY
64
8.14 Data Protection during Power Down
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 1.3V. RP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
before power-down.
Figure 24. Data Protection during Power Down
V
CC
RP
NAND Write
Protected
Idle
One NAND Reset
INT
OneNAND
Operation
typ. 1.3V
0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KFG5616Q1 OneNAND256
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KFG5616Q1M-DEB OneNAND256
KFG5616U1M-DIB OneNAND256
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參數(shù)描述
KFG5616Q1 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND256
KFG5616Q1A-DEB 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
KFG5616Q1A-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616Q1A-DEB6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
KFG5616Q1A-PEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:OneNAND Specification FLASH MEMORY
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