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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4S511633F-F75 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM |
| 中文描述： | 8米× 16 × 4銀行移動(dòng)SDRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | K4S511633F-F75 |
K4S511633F-Y(P)C/L/F
September 2004
6
Mobile-SDRAM
VDDQ
1200
870
Output
30pF
VOH (DC) = 2.4V, IOH = -2mA
VOL (DC) = 0.4V, IOL = 2mA
Vtt=0.5 x VDDQ
50
Output
30pF
Z0=50
Figure 2. AC Output Load Circuit
Figure 1. DC Output Load Circuit
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 2.7V
～
3.6V, T
A
= -25 to 70
°
C )
Parameter
Value
Unit
AC input levels (Vih/Vil)
2.4/0.4
V
Input timing measurement reference level
1.4
V
Input rise and fall time
tr/tf = 1/1
ns
Output timing measurement reference level
1.4
V
Output load condition
See Figure 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S511633F-L | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM |
| K4S511633F-YC | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM |
| K4S511633F-YPC | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM |
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| K4S513233F-F1H | Mobile SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S511633F-L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM |
| K4S511633FPL75 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4S511633F-YC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM |
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| K4S511633F-YPC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM |
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