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參數(shù)資料
| 型號： | K4S283233F-F60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| 中文描述： | 100萬x 32Bit的× 4銀行在90FBGA移動SDRAM |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 140K |
| 代理商： | K4S283233F-F60 |
K4S283233F - F(H)E/N/G/C/L/F
February 2004
Mobile-SDRAM
C. BURST SEQUENCE
1. BURST LENGTH = 4
Initial Address
Sequential
Interleave
A1
A0
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0
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3
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2. BURST LENGTH = 8
Initial Address
Sequential
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4S283233F-F75 | 1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S283233F-FE | 1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S283233F-FHE | 1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S283233F | 1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S283233F-G | 1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4S283233F-F75 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S283233F-FE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S283233F-FHE | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S283233F-G | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA |
| K4S283233F-HC75000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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