參數(shù)資料
型號(hào)： K4J52324QC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mbit GDDR3 SDRAM
中文描述： 512MB的GDDR3 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 36/57頁(yè)
文件大?。?/td> 1246K
代理商： K4J52324QC
- 36 -
Rev 1.0 (Mar 2005)
512M GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-B
READ to PRECHARGE
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
NOP
NOP
PRE
NOP
ACT
READ
T0
T1
T2
T8
T8n
T9
T10
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
n
Bank a,
(a or all)
T9n
Bank a,
Row
t
RP
NOP
NOP
PRE
NOP
ACT
READ
T0
T1
T7
T8
T8n
T9
T10
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
n
Bank a,
(a or all)
Bank a,
Row
t
RP
1. DO
n
(or
b
) = data-out from column
n
(or column
b
).
2. Burst length = 4
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ
n.
4. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ
b
.
5. Shown with nominal t
AC
and t
DQSQ.
6. Example applies when READ commands are issued to different devices or nonconsecutive READs.
7. RDQS will start driving high one half-clock cycle prior to the first falling edge of RDQS.
～～
～
～～
～
～
～
～～
～～
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4J52324QC-BC14 512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BC16 512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BC20 512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BJ12 512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BJ14 512Mbit GDDR3 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4J52324QC-AC20000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays
K4J52324QC-BC14 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BC14000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays
K4J52324QC-BC16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BC20 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
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