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參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324QC-BJ14 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 41/57頁 |
| 文件大小： | 1246K |
| 代理商： | K4J52324QC-BJ14 |
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- 41 -
Rev 1.0 (Mar 2005)
512M GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-B
Random WRITE Cycles
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
NOP
WRITE
NOP
NOP
WRITE
T0
T1
T3
T3n
T4
T5
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
Bank
Col b
t
DQSS
(NOM)
NOP
T4n
T5n
T6
DQ
DM
WDQS
T2
T6n
T7
NOP
DI
b
DI
x
Bank
Col x
WRITE
Bank
Col g
DI
b
DI
b
DI
b
DI
x
DI
x
DI
x
DI
g
DI
g
1. DI b, etc. = data-in for column b, etc.
2. b: etc. = the next data - in following DI b. etc., according to the programmed burst order.
3. Programmed burst length = 4 cases shown.
4. Each WRITE command may be to any bank.
5. Last write command will have the rest of the nibble on T8 and T8n
6. Write latency is set to 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4M281633F | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-C | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-F1L | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-G | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-L | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QE-BC12000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4J52324QE-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4J52324QE-BC16000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QH-AC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
| K4J55323QF-GC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
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