參數(shù)資料
型號(hào)： K4J52324QC-BJ14
廠(chǎng)商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mbit GDDR3 SDRAM
中文描述： 512MB的GDDR3 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 22/57頁(yè)
文件大?。?/td> 1246K
代理商： K4J52324QC-BJ14
- 22 -
Rev 1.0 (Mar 2005)
512M GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-B
SCAN DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
*Note : 1. The parameter applies only when SEN is asserted.
2. All voltages referenced to GND.
PARAMETER/CONDITON
Input High (Logic 1) Voltage
SYMBOL
V
IH
(DC)
V
IL
(DC)
MIN
MAX
-
UNITS
V
NOTES
1,2
V
REF
+0.15
-
Input Low (Logic 0) Voltage
V
REF
-0.15
V
1,2
tSES
tSCS
tSDS
tSDS
VALID
LOW
SCK
SEN
SSH
SOE
Pins
under Test
SCK
SEN
SSH
SOE
SOUT
tSES
tSCS
tSCS
Scbit 0
Scbit 1
Scbit 2
Scbit 3
tSAC
tSOH
Figure 2. Scan Capture Timing
Figure 3.Scan Shift Timing
Not a true clock, but a single pulse or series of pulses
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
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