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參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324QC-BJ12 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 38/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | K4J52324QC-BJ12 |
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- 38 -
Rev 1.0 (Mar 2005)
512M GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-B
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
WRITE
T0
T1
T2
T3
T3n
T4
T5
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
Bank a,
Col b
t
DQSS
NOP
T4n
T5n
T6
DQ
DM
DI
WDQS
DI
DI
t
DQSS
(NOM)
DQ
DM
WDQS
t
DQSS
(MIN)
DQ
DM
WDQS
t
DQSS
(MAX)
t
DQSS
t
DQSS
WRITE Burst
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
1. DI b = data-in for column b.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. A burst of 4 is shown.
4. A8 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
5. Write latency is set to 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4J52324QC-BJ14 | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4M281633F | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-C | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-F1L | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-G | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC-BJ14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QE-BC12000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4J52324QE-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4J52324QE-BC16000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
| K4J52324QH-AC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays |
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