- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374275 > K4J52324QC-BC20 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 512Mbit GDDR3 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324QC-BC20 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 35/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | K4J52324QC-BC20 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁當前第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
- 35 -
Rev 1.0 (Mar 2005)
512M GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-B
READ to WRITE
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
1. DO
n
= data-out from column
n
.
2. DI
b
= data-in from column
b
.
3. Burst length = 4
4. One subsequent element of data-out appears in the programmed order following DO
n
.
5. Data-in elements are applied following DI
b
in the programmed order.
6. Shown with nominal t
AC
and t
DQSQ.
7. t
DQSS
in nominal case.
8. RDQS will start driving high one half-clock cycle prior to the first falling edge of RDQS.
9. The gap between data termination enable to the first data-in should be greater than 1tCK
NOP
NOP
WRITE
NOP
NOP
READ
T0
T7
T8
T9
T9n
T10
T11
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank
Col n
CL = 8
DM
T8n
n
DI
t
WL
= 4
WDQS
～
～
～～
～～
～
～～
～
DQ
NOP
T12
T12n
Bank a,
Col b
1tCK <
Termination
DQ Termination Disabled
DQ Termination Enbaled
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4J52324QC-BJ12 | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BJ14 | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4M281633F | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-C | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-F1L | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC-BJ12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BJ14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QE-BC12000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4J52324QE-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4J52324QE-BC16000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。