參數(shù)資料
型號： K4J52324QC-BC20
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mbit GDDR3 SDRAM
中文描述： 512MB的GDDR3 SDRAM的
文件頁數(shù)： 34/57頁
文件大?。?/td> 1246K
代理商： K4J52324QC-BC20
- 34 -
Rev 1.0 (Mar 2005)
512M GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-B
Random READ Accesses
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ
T0
T1
T2
T8
T8n
T9
T10
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
DO
n
Bank a,
Col b
T10n
T9n
DO
b
DO
n
DO
n
DO
n
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
READ
T0
T1
T7
T8
T8n
T9
T10
/CK
CK
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
DO
n
Bank a,
Col b
T10n
T9n
DO
b
DO
n
DO
n
DO
n
COMMAND
ADDRESS
1. DO
n
(or
x
or
b
or
g
) = data-out from column
n
(or column
x
or column
x
or column
b
or column
g
).
2. Burst length = 4
3.
n
’ or x or
b
’ or
g
’ indicates the next data-out following DO
n
or DO
x
or DO
b
OR DO
g
, respectively
4. READs are to an active row in any bank.
5. Shown with nominal t
AC
and t
DQSQ.
6. RDQS will start driving high one half-clock cycle prior to the first falling edge of RDQS.
～
～～
～～
～～
～
～～
～～
～～
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4J52324QC-BJ12 512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BJ14 512Mbit GDDR3 SDRAM
K4M281633F 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M281633F-C 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
K4M281633F-F1L 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
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參數(shù)描述
K4J52324QC-BJ12 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BJ14 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QE-BC12000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4J52324QE-BC14000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
K4J52324QE-BC16000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays
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