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參數(shù)資料
| 型號： | K4J52324QC-BC16 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 512MB的GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 45/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 1246K |
| 代理商： | K4J52324QC-BC16 |
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- 45 -
Rev 1.0 (Mar 2005)
512M GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-B
GDDR3 tFAW Definition
For eight bank GDDR3 devices, there is a need to limit the number of activates in a rolling window to ensure that the
instanteous current supplying capability of the devices is not exceeded. To reflect the true capability of the DRAM instanta-
neous current supply, the same parameter tFAW(four activate window) as DDR2 is defined.
Eight bank device Sequential Bank Activation Restriction : No more than 4 banks may be activated in a rolling tFAW win-
dow. Converting to clocks is done by dividing tFAW(ns) by tCK(ns) and rounding up to next integer value. As an example
of the rolling window, if (tFAW/tCK) rounds up to 10 clocks, and an activate command is issued in clock N, no more than
three further activate commands may be issued in clocks N+1 through N+9.
t
RRD
CLK
ACT
t
RRD
t
RRD
t
RRD
t
RRD
t
RRD
CMD
t
FAW
t
FAW
+ 3*t
RRD
ACT
ACT
ACT
ACT
ACT
ACT
ACT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4J52324QC-BC20 | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BJ12 | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BJ14 | 512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4M281633F | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
| K4M281633F-C | 2M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J52324QC-BC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BJ12 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QC-BJ14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J52324QE-BC12000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4J52324QE-BC14000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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