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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H561638D-GLB3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER SINGLE 200mW 39Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 29.6 SOD-323 3K/REEL |
| 中文描述： | 的DDR 256Mb的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | K4H561638D-GLB3 |
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DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb D-die (x8, x16)
Rev. 1.1 Feb. 2003
Bank Select
Timing Register
A
R
R
R
C
Data Input Register
Serial to parallel
4Mx16/ 2Mx32
4Mx16/ 2Mx32
4Mx16/ 2Mx32
4Mx16/ 2Mx32
S
2
O
I
Column Decoder
Latency & Burst Length
Programming Register
D
S
G
CK, CK
ADD
LCKE
CK, CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
LCAS
LRAS
LCBR
LWE
LWCBR
L
L
CK, CK
16/ 32
16/32
8/16
8 /16
x8/x16
DQi
Data Strobe
Block Diagram (8Mbx8
/
4Mbx16 I/O x 4 Banks)
(L)WE
LDM(x8)
LL(U)DM(x16)
L(U)DM(x16)
LDM(x8)
CK, CK
DM Input Register
LL(U)DM(x16)
DM(x8)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560438D-GC | DDR 256Mb |
| K4H560438D-GCA2 | DDR 256Mb |
| K4H560438D-GCB0 | DDR 256Mb |
| K4H560438D-GCB3 | DDR 256Mb |
| K4H560438D-GLA2 | DDR 256Mb |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H561638D-TC/LA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
| K4H561638D-TC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
| K4H561638D-TC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
| K4H561638D-TC/LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
| K4H561638D-TCA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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