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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H561638D-GLB3 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER SINGLE 200mW 39Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 29.6 SOD-323 3K/REEL |
| 中文描述： | 的DDR 256Mb的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | K4H561638D-GLB3 |
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb D-die (x8, x16)
256Mb D-die Revision History
Rev. 1.1 Feb. 2003
Revison 0.0 (June. 2002)
1. First release
Revison 0.1 (Aug. 2002)
- Changed IDD3P value from 40mA to 55m
- Changed IDD3N value from 60mA to 75mA
Revision 1.0 (February, 2003)
- Modified
AC Timing Parameters and Idd value.
Revision 1.1 (February, 2003)
- Modified tAC value +/-0.7ns => +/-0.65ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4H560438D-GC | DDR 256Mb |
| K4H560438D-GCA2 | DDR 256Mb |
| K4H560438D-GCB0 | DDR 256Mb |
| K4H560438D-GCB3 | DDR 256Mb |
| K4H560438D-GLA2 | DDR 256Mb |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4H561638D-TC/LA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
| K4H561638D-TC/LA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
| K4H561638D-TC/LB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
| K4H561638D-TC/LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb |
| K4H561638D-TCA0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM |
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