參數(shù)資料
型號(hào)： K4H561638A-TLA2
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Mb DDR SDRAM
中文描述： 128MB DDR SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 14/18頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： K4H561638A-TLA2
DDR SDRAM
DDR SDRAM 256Mb D-die (x8, x16)
AC Timing Parameters and Specifications
Rev. 1.1 Feb. 2003
Parameter
Symbol
- CC(DDR400@CL=3)
Min
55
70
40
15
15
10
15
2
5
6
0.45
0.45
-0.55
-0.65
-
0.9
0.4
0.72
0
0.25
0.4
0.2
0.2
0.35
- C4(DDR400@CL=3)
Min
60
70
40
18
18
10
15
2
5
6
0.45
0.45
-0.55
-0.65
-
0.9
0.4
0.72
0
0.25
0.4
0.2
0.2
0.35
Unit
Note
Max
Max
Row cycle time
Refresh row cycle time
Row active time
RAS to CAS delay
Row precharge time
Row active to Row active delay
Write recovery time
Internal write to read command delay
tRC
tRFC
tRAS
tRCD
tRP
tRRD
tWR
tWTR
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tCK
ns
ns
tCK
tCK
ns
ns
ns
tCK
tCK
tCK
ps
tCK
tCK
tCK
tCK
70K
70K
Clock cycle time
CL=3.0
CL=2.5
tCK
10
12
0.55
0.55
+0.55
+0.65
0.4
1.1
0.6
1.28
10
12
0.55
0.55
+0.55
+0.65
0.4
1.1
0.6
1.28
16
Clock high level width
Clock low level width
DQS-out access time from CK/CK
Output data access time from CK/CK
Data strobe edge to ouput data edge
Read Preamble
Read Postamble
CK to valid DQS-in
Write preamble setup time
Write preamble
Write postamble
DQS falling edge to CK rising-setup time
DQS falling edge from CK rising-hold time
DQS-in high level width
tCH
tCL
tDQSCK
tAC
tDQSQ
tRPRE
tRPST
tDQSS
tWPRES
tWPRE
tWPST
tDSS
tDSH
tDQSH
13
5
0.6
0.6
4
tCK
DQS-in low level width
Address and Control Input setup time
Address and Control Input hold time
tDQSL
tIS
tIH
0.35
0.6
0.35
0.6
tCK
ns
h,7~10
h,7~10
0.6
0.6
ns
Data-out high impedence time from CK/CK
Data-out low impedence time from CK/CK
Mode register set cycle time
DQ & DM setup time to DQS, slew rate 0.5V/ns
DQ & DM hold time to DQS, slew rate 0.5V/ns
DQ & DM input pulse width
Control & Address input pulse width for each input
tHZ
tLZ
tMRD
tDS
tDH
tDIPW
tIPW
-
tAC max
tAC max
-
tAC max
tAC max
ns
ns
tCK
ns
ns
ns
ns
us
us
3
3
tAC min
2
0.4
0.4
1.75
2.2
15.6
7.8
tHP
-tQHS
min
tCH/tCL
tAC min
2
0.4
0.4
1.75
2.2
15.6
7.8
tHP
-tQHS
min
tCH/tCL
i, j
i, j
9
9
Refresh interval time
Up to 128Mb
tREFI
6
256Mb, 512Mb, 1Gb
Output DQS valid window
tQH
-
-
ns
12
Clock half period
tHP
-
-
ns
11, 12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4H561638A-TLB0 128Mb DDR SDRAM
K4H561638B-TCA0 128Mb DDR SDRAM
K4H561638D-GCA2 DIODE ZENER SINGLE 200mW 28Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 21.2 SOD-323 3K/REEL
K4H561638D-GCB0 DIODE ZENER SINGLE 500mW 30Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 22.8 SOD-123 3K/REEL
K4H561638D-GCB3 DIODE ZENER SINGLE 150mW 30Vz 0.05mA-Izt 0.05 0.05uA-Ir 22.8 SOD-523 3K/REEL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4H561638A-TLB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H561638B-TCA0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H561638B-TCA2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
K4H561638B-TCA2000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II Tray
K4H561638B-TCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mb DDR SDRAM
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