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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4H560438E-GC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DIODE ZENER TRIPLE ISOLATED 200mW 11.1Vz 10mA-Izt 0.02523 0.1uA-Ir 8.4 SOT-363 3K/REEL |
| 中文描述： | 256Mb的電子芯片DDR SDRAM內(nèi)存規(guī)格60Ball FBGA封裝（x4/x8） |
| 文件頁數(shù)： | 2/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 291K |
| 代理商： | K4H560438E-GC |
第1頁當(dāng)前第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁
- 2 -
256Mb
Package Dimension
DDR SDRAM
Rev. 2.2 Mar. ’03
(0.90)
(0.90)
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Column address configuration
Organization
Column Address
64Mx4
A0-A9, A11
32Mx8
A0-A9
16Mx16
A0-A8
8.0 0
±
0.10
1
±
0
1
±
0
0
0
±
0
0.35
±
0.05
1.10
±
0.10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
ENCAPSULANT AREA
8.00
±
0.10
0.80 x 4 = 3.20
0.80 x 2 = 1.60
0.80 x 2 = 1.60
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
0.80
0
5
1
1
±
0
5
60 - 0.45
±
0.05
0.80 x 8 = 6.40
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
(1.80)
0
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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