參數(shù)資料
型號： K4H510438C-UCA2
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mb C-die DDR SDRAM Specification
中文描述： 葷的512Mb芯片DDR SDRAM內(nèi)存規(guī)格
文件頁數(shù)： 13/24頁
文件大?。?/td> 367K
代理商： K4H510438C-UCA2
Rev. 1.1 June. 2005
DDR SDRAM
DDR SDRAM 512Mb C-die (x4, x8, x16)
(V
DD
=2.7V, T = 10
°
C)
15.0 DDR SDRAM IDD spec table
Symbol
128Mx4 (K4H510438C)
A2(DDR266@CL=2.0)
Unit Notes
B3(DDR333@CL=2.5)
B0(DDR266@CL=2.5)
IDD0
105
95
95
mA
IDD1
135
125
125
mA
IDD2P
5
5
5
mA
IDD2F
30
30
30
mA
IDD2Q
25
25
25
mA
IDD3P
30
30
30
mA
IDD3N
45
45
45
mA
IDD4R
140
125
125
mA
IDD4W
150
130
130
mA
IDD5
205
195
195
mA
IDD6
Normal
5
5
5
mA
Low power
3
3
3
mA
Optional
IDD7A
360
325
325
mA
Symbol
64Mx8 (K4H510838C)
Unit Notes
CC(DDR400@CL=3)
B3(DDR333@CL=2.5) A2(DDR266@CL=2.0) B0(DDR266@CL=2.5)
IDD0
120
105
95
95
mA
IDD1
150
135
125
125
mA
IDD2P
5
5
5
5
mA
IDD2F
30
30
30
30
mA
IDD2Q
25
25
25
25
mA
IDD3P
45
30
30
30
mA
IDD3N
60
45
45
45
mA
IDD4R
155
140
125
125
mA
IDD4W
175
150
130
130
mA
IDD5
220
205
195
195
mA
IDD6
Normal
5
5
5
5
mA
Low power
3
3
3
3
mA
Optional
IDD7A
385
360
325
325
mA
Symbol
32Mx16 (K4H511638C)
Unit Notes
CC(DDR400@CL=3)
B3(DDR333@CL=2.5) A2(DDR266@CL=2.0) B0(DDR266@CL=2.5)
IDD0
120
105
95
95
mA
IDD1
160
140
130
130
mA
IDD2P
5
5
5
5
mA
IDD2F
30
30
30
30
mA
IDD2Q
25
25
25
25
mA
IDD3P
45
30
30
30
mA
IDD3N
60
45
45
45
mA
IDD4R
190
170
155
155
mA
IDD4W
215
185
160
160
mA
IDD5
220
205
195
195
mA
IDD6
Normal
5
5
5
5
mA
Low power
3
3
3
3
mA
Optional
IDD7A
400
380
345
345
mA
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PDF描述
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K4H510438C-UCB3 512Mb C-die DDR SDRAM Specification
K4H510438 512Mb B-die DDR SDRAM Specification
K4H510438A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 5.1Vz 0.05mA-Izt 0.05 5uA-Ir 3 SOD-323 3K/REEL
K4H510438A-TCA2 ENCLOSURE, DIN IP65 9 MODULEENCLOSURE, DIN IP65 9 MODULE; Length / Height, external:200mm; Width, external:190mm; Depth, external:105mm; Material:Polycarbonate; Colour:Light Grey; RAL number:7035
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